根據外電報導，半導體業者美光（Micron）於上周舉行的分析師會議中透露，今年下半年出貨的固態硬碟（Solid State Drive，SSD）中，大部份都將是基於3D NAND技術的產品。
3D NAND採用了浮閘（floating gate）技術，以垂直方式堆疊32層的儲存單元，實現256Gb的多階儲存單元（multilevel cell，MLC）與384Gb的3階儲存單元（triple-level cell，TLC），號稱是全球密度最高的快閃記憶體，高密度的特性讓它的容量可達到其他NAND記憶體的3倍，標榜只要AA電池大小的SSD就能具備3.5TB的儲存容量，2.5吋的SSD則能有10TB的儲存容量。
↓3D NAND類似建築一棟大樓，以垂直堆疊方式增加記憶體的容量，提高儲存單位的密度。(圖片來源：美光)
其實美光與英特爾（Intel）在去年3月就共同發表了3D NAND快閃記憶體，當時亦已開始送樣，該類記憶體的優點除了高密度之外，還包括快速的讀寫效能、更便宜的每GB成本，以及可用來省電的新睡眠模式等。
現階段3D NAND的每GB成本仍高於平面NAND，但隨著3D NAND單一晶圓可裝載的儲存量愈來愈大，美光估計兩者的成本將在明年交會，之後3D NAND即會取得成本優勢。
根據美光的規畫，3D NAND將率先於今年6月出現在消費者端的固態硬碟產品上，繼之推出資料中心專用的SSD，直到相關成本低於平面NAND之後即會擴展至各種嵌入式記憶體市場。
3D NAND介紹影片。